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理聘网-职位详情页,新结构3DNAND闪存器件基础研究岗

新结构3DNAND闪存器件基础研究岗
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地点图标 北京
工作经验图标 经验不限
教育经历图标 博士
职位描述
研究员
副研究员
助理研究员
物理学
微电子学
岗位职责: 1.主要负责课题组半导体器件设计,尤其是新型存储器器件构架设计; 2.主要负责完成半导体先导工艺研发与优化; 3.完成半导体器件研发,尤其是新型存储器器件工艺整合及优化; 4.半导体器件电学性能测试与分析; 5.半导体器件可靠性性能测试与分析; 6.完成领导交办的其他任务。 任职要求: 1.物理学、微电子学相关专业; 2.熟练半导体器件及存储器器件基本原理; 3.具备半导体工艺研发经验者优先; 4.具备半导体生产线、研发线,尤其是8/12inch生产线、研发经验者优先; 5.工作有主动性,具有责任感和团队合作的意识。 6.具有良好的政治素质和道德品行; 7.学风端正,科学态度严谨,爱岗敬业; 8.具有正常履行职责的身体条件和心理素质; 9.按中科院有关规定执行亲属回避制度。 福利待遇: 1.事业平台:提供一流的科研平台,广阔的发展空间,积极推荐并协助申请基金委青年基金、优青项目、中科院青促会会员等。 2.薪酬待遇:提供有竞争力的薪酬待遇。 3.福利保障:为符合条件的职工解决本人、配偶及子女北京市户口,可申请人才公寓,协助解决子女入学,享六险两金、带薪年休假、职工食堂、年度体检等。 4.职业发展:配套完善的职业发展体系和培训体系,提供出国留学和海外名校访问、深造机会,畅通的岗位晋升通道。
工作地点
北京
中国科学院微电子研究所新技术开发部存储器实验室
地点图标地点圆形图片
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