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岗位职责： 1. 独立承担项目中的关键课题，开展半导体制备工艺优化、器件表征等研究工作。 2. 发展新型表征方法，建立材料微观结构、化学纯度与量子器件电学性能（如相干时间、载流子迁移率、界面态密度）之间的构效关系。 3. 协助指导博士、硕士研究生，参与实验室建设与管理。 4. 积极参与国内外学术合作与交流，在高水平学术期刊上发表研究成果。 5. 协助撰写项目进展报告、结题验收材料及新的科研项目申请报告。 任职要求： 1. 具备强烈的创新意识、卓越的独立科研能力、良好的团队协作精神以及出色的沟通协调能力。 2. 具备优秀的科技英语写作和口语表达能力，能熟练撰写英文论文并进行学术报告。 3. 能够全职从事博士后研究工作，恪守学术道德规范，恪守科研诚信。 教育背景： 1. 已获得或即将获得博士学位，博士毕业年限一般不超过3年。 2. 所需专业背景（满足其一即可）： 方向A（材料生长与表征）：材料科学与工程、微电子学与固体电子学、物理化学、凝聚态物理等相关专业。具有半导体材料（特别是硅）外延生长（如CVD, MBE）、晶体学表征、光谱分析等研究经验者优先。 方向B（器件制备与测试）：微电子科学与工程、电子科学与技术、物理学等相关专业。具有半导体器件（如MOSFET, JFET）制备、微纳加工、低温电学传输测量、量子比特测试等研究经验者优先。 行业经验与岗位经验： 1. 具有半导体行业或顶尖研究机构从事前沿研究的经验者优先考虑。 2. 具备以下特定技术平台经验者将获重点考虑： * 半导体工艺线（光刻、刻蚀、薄膜沉积、离子注入）的操作与整合经验。 超高真空系统、低温强磁场测量系统、原子力/扫描隧道显微镜、二次离子质谱等大型仪器的操作与数据分析经验。 TCAD、COMSOL等器件仿真或材料计算经验。 3. 以第一作者身份在相关领域主流学术期刊上发表过高质量研究论文。 岗位福利： 1. 薪酬待遇: 根据科研工作能力提供具有竞争力的薪酬(含地方政府人才补助)丶具体面议（应届博士毕业生另可获得杭州市应届生生活补贴10万元)。 2.对获得中国博士后科学基金资助和省级博士后科研项目资助的，杭州市、萧山区分别给予相应配套资助。 3.共享浙江大学实验与科研条件。 4.协助申请杭州市、萧山区人才配套用房（以杭州市E类人才标准申请：50和70平可选，租金约42元/平)。 5.工作期间表现优秀、业绩突出者，如符合相应要求，可优先推荐申请科创中心”求是科创学者‘岗位或技术开发岗位。